로이터 통신 보도
삼성 “HBM에 MUF 공정 도입 계획 없다”
 

서울 강남구 삼성전자 서초사옥./뉴스1
삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 수율을 높이기 위해 경쟁사인 SK하이닉스의 기술을 적용할 것이라고 로이터가 13일 보도했다. 로이터는 이날 관계자들을 인용해 “삼성전자가 인공지능(AI)에 사용되는 고급 칩 생산 경쟁을 따라잡기 위해 노력하고 있다”며 이같이 전했다.

최근 생성형 AI 열풍으로 HBM 수요가 급증하고 있다. HBM 시장은 삼성전자와 SK하이닉스가 양분하고 있고, 미국 마이크론도 차세대 HBM 제품 양산에 나서며 경쟁이 치열해지고 있는 상황이다.

삼성전자는 HBM 패키징에서 칩과 칩 사이에 필름을 넣어 연결하는 ‘NCF’ 기술을 이용하고 있다. 반면 SK하이닉스는 칩 사이 공간에 특수 물질을 채워 넣어 붙이는 ‘MR-MUF’ 기술을 사용한다. 로이터는 “삼성전자가 최근 MUF 기술을 적용할 수 있는 반도체 제조 장비를 구매했다”고 했다. 한 관계자는 로이터에 “삼성은 HBM 수율을 높이기 위해 뭔가를 해야했다”며 “MUF 기술을 채택하는 것은 SK하이닉스가 사용한 기술을 따르는 것이기 때문에 삼성 입장에서는 다소 자존심 상하는 일”이라고 말했다.

업계에 따르면 삼성전자의 HBM3 수율은 10~20%인데, SK하이닉스는 60~70%로 알려졌다. SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3를 공급하고 있다. 이런 격차를 극복하기 위해 삼성전자가 SK하이닉스의 공법을 도입할 것이란 전망이 나온 것이다. 로이터는 삼성전자가 최신 HBM 칩에 NCF와 MUF 기술 모두 사용할 계획이라고 전했다. 한 관계자는 “삼성전자가 일본 나가세 등 소재사들과도 협의 중”이라며 “많은 테스트가 필요해 내년까지 준비될 가능성은 낮다”라고 했다.

다만 삼성전자는 “HBM에 MUF 공정을 도입할 계획이 없다”고 밝혔다. 반도체 업계에서는 MUF 장비가 HBM 외에 다른 반도체 공정에도 쓰일 수도 있다고 예상한다.